STMicroelectronics SCTL90N N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 40 A, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV

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RS Best.-Nr.:
219-4226
Herst. Teile-Nr.:
SCTL90N65G2V
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

SCTL90N

Gehäusegröße

PowerFLAT 8 x 8 HV

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand max.

0,24 O

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten
Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz

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