Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
218-3126
Herst. Teile-Nr.:
IRFU7546PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

71A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.9mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

99W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

2.39 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Er wird für Anwendungen verwendet, bei denen das Schalten unter <100 kHz liegt.

Bleifrei, RoHS-konform

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

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