Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 128 A 230 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
218-3117
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3307ZTRRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

128A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.8mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal, integriert in das Gehäuse des Typs D2PAK (TO-263).

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

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