Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 25 V / 324 A 156 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
218-3104
Herst. Teile-Nr.:
IRFH8201TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

324A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

SuperSO

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

950mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie mit einem N-Kanal. Er wird hauptsächlich in Batterie-betriebenen DC-Motorwechselrichtern verwendet.

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<0,8 °C/W)

RoHS-konform, halogenfrei

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