Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TSDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

€ 11,52

(ohne MwSt.)

€ 13,82

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 4 840 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +€ 0,576€ 11,52

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
218-2986
Herst. Teile-Nr.:
BSZ099N06LS5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.9mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

36W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Höhe

1.1mm

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon OptiMOS-Serie. Es ist sehr gut geeignet für drahtloses Laden, Adapter und Telekommunikationsanwendungen. Die Geräte mit niedriger Gate-Ladung (Q g) reduzieren Schaltverluste ohne Kompromisse bei den Leitungsverlusten.

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

Bleifreie Leitungsbeschichtung

Verwandte Links

Recently viewed