Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 166-1198
Herst. Teile-Nr.:: BSC097N06NSATMA1
Hersteller:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 46 A 36 W, 8-Pin TDSON

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Herst. Teile-Nr.:: BSC097N06NSATMA1
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	46A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	14.6mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	36W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Breite	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.6mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 36W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Breite 6.1mm
	Automobilstandard Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:: MY

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V Drain-Source-Spannung, 46 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC097N06NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für das Schalten und Verstärken in Hochstrom-Niederspannungsschaltkreisen ausgelegt ist. Er funktioniert über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem kompakten Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das für dichte Leiterplattenlayouts geeignet ist. Das Gerät ist für anspruchsvolle elektronische Baugruppen vorgesehen, bei denen eine effiziente Leitungs- und Gate-Steuerung erforderlich ist.

Merkmale und Vorteile:

• Die maximale Ablass-Quellenspannung von 60 V ermöglicht eine robuste Schaltung bei niedriger Spannung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 46 A unterstützt die Handhabung von Hochstromlasten
• Niedriger RDS(on) von 14,6 mΩ reduziert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• Maximale Verlustleistung von 36 W ermöglicht eine anhaltende thermische Belastung
• Eine typische Gate-Ladung von 12 nC sorgt für schnelle Gate-Übergänge
• Die Gate-Source-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen

Anwendungsbereiche

• Geeignet für synchrone Abwärtsreglerstufen
• Ideal für Motorantriebs-Halbbrückenschaltungen
• Wird mit DC/DC-Wandlern in Server-Stromversorgungen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für Hochstrom-Lastpunkt-Schaltvorgänge

Welchem thermischem Umfeld kann er während des Betriebs standhalten?

Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in industriellen Anwendungen und Anwendungen mit erhöhten Temperaturen.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?

Die Komponente wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert und ist für die Oberflächenmontage konzipiert, um die automatisierte Montage zu erleichtern.

Welcher Kanaltyp und welcher Modus sind für das Schaltverhalten implementiert?

Das Gerät verwendet eine N-Kanal-Enhancement-Mode-Topologie, die bei entsprechender Ansteuerung für Low-Side- und High-Side-Schaltungen geeignet ist.

Wie viele elektrische Verbindungen stellt das Gerät an einem Stromkreis zur Verfügung?

Er verfügt über eine 8-polige Konfiguration zur Aufnahme von Gate-, Drain- und Quellenanschlüssen sowie Wärmeleitpfaden.