Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 275 A 139 W, 8-Pin TDSON

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214-8970
Herst. Teile-Nr.:
BSC010N04LSIATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

275A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

87nC

Durchlassspannung Vf

700mV

Maximale Verlustleistung Pd

139W

Maximale Betriebstemperatur

+175°C

Breite

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Länge

5.35mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 40 V Drain-Source-Spannung, 275 A kontinuierlicher Drain-Strom – BSC010N04LSIATMA1


Dieser MOSFET ist eine Hochstrom-Schaltkomponente, die für anspruchsvolle Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem sehr breiten Umgebungstemperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Leiterplatten-Implementierungen in kompakten Baugruppen vorgesehen. Das Gerät verfügt über einen N-Kanal-Enhancement-Modus und unterstützt Gate-Treiber-Spannungen, die für eine robuste Schaltsteuerung geeignet sind.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Leitungswiderstand sorgt für effizientes Schalten bei hohen Strömen
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine erhebliche Belastung
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht den Einsatz in einem Mittelspannungssystem
• Die Verlustleistung von 139 W unterstützt eine hohe Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 87 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Source-Toleranz bietet Platz für den Gate-Treiber

Anwendungsbereich


• Geeignet für Hochstrom-Gleichstrommotorantriebe
• Wird für die Stromverteilung in Batteriesystemen verwendet
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Wandlern
• Kann für Server- und Telekommunikations-Leistungsstufen verwendet werden
• Wird mit Wechselrichtermodulen verwendet, die robuste Schalter erfordern

Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?


Er ist für den Dauerbetrieb von -55 °C bis +175 °C ausgelegt.

Welches Gehäuse und welche Montageart wird für die Leiterplattenmontage verwendet?


Er wird in einem TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Wie viele elektrische Anschlüsse sind für das Layout und die Verlegung verfügbar?


Das Gerät verwendet eine 8-polige Konfiguration für Strom- und Gate-Anschlüsse.

Welches Gate-Treiberverhalten sollten Entwickler beim Schalten erwarten?


Die Entwickler sollten bei der Berechnung von Antriebsverlusten und Schaltzeiten eine typische Gate-Ladung von 87 nC planen.

Welche physische Grundfläche sollte bei der Platzierung der Komponente zulässig sein?


Das Gehäuse misst 5,35 mm in der Länge, 6,1 mm in der Breite und 1,2 mm in der Höhe.

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