Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 17 A 2.1 W, 8-Pin TSDSON

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RS Best.-Nr.:
218-2984
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0589NSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.4mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Dieser MOSFET ist für Hochleistungs-Wireless-Ladegerät optimiert.

Niedriger FOMSW für Hochfrequenz-SMPS

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on) @ VGS=4,5 V

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Überlegener Wärmewiderstand

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