Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2634
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4229TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | EIA 418 | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen EIA 418 | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 250 V maximale Drain-Source-Spannung, 45 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRFS4229TRLPBF
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen eine robuste Drain-Handhabung und ein breiter Temperaturbetrieb erforderlich sind. Es funktioniert als N-Kanal-Stromversorgungsgerät, das für schnelle Schalt- und Hochstromkreise geeignet ist und über einen erweiterten Umgebungsbereich arbeitet, wobei es nach Industriestandard nach EIA-418 zugelassen ist.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 250 V bietet Hochspannungsschaltfunktionen
• 45 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• 48 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• Die Gate-Ladung von 110 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• Die Durchlassspannung von 1,3 V minimiert den Leitungsabfall der Diode
• 45 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• 48 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 330 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• Die Gate-Ladung von 110 nC ermöglicht eine vorhersehbare Gate-Drive-Grösse
• Die Durchlassspannung von 1,3 V minimiert den Leitungsabfall der Diode
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungs-DC/DC-Wandler
• Ideal für Motorantriebsstufen in der Leistungselektronik
• Wird mit Schaltreglern und Netzteilen verwendet
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen auf Leiterplatten mit Kühlkörper
• Ideal für Motorantriebsstufen in der Leistungselektronik
• Wird mit Schaltreglern und Netzteilen verwendet
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen auf Leiterplatten mit Kühlkörper
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?
Er wird in einem TO-263-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.
Welchen Umgebungsbedingungen hält er stand?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt.
Wie viel Gate-Antriebsenergie sollten Konstrukteure im Budget einzahlen?
Die Entwickler sollten bei der Dimensionierung der Gate-Treiber eine typische Gate-Ladung von 110 nC berücksichtigen.
Ist er für Kfz-Anwendungen geeignet?
Es ist nicht als konform mit Standards der Automobilindustrie eingestuft.
Welche maximale Gate-to-Source-Spannung muss eingehalten werden?
Die maximale Gate-to-Source-Nennspannung beträgt 20 V.
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