Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 250 V / 45 A 330 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2634
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4229TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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| 5 - 20 | € 3,106 | € 15,53 |
| 25 - 45 | € 2,734 | € 13,67 |
| 50 - 120 | € 2,578 | € 12,89 |
| 125 - 245 | € 2,392 | € 11,96 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2634
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS4229TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 48mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 330W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 110nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Normen/Zulassungen | EIA 418 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 48mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 330W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 110nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 9.65mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Normen/Zulassungen EIA 418 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon HEXFET ® Leistungs-MOSFET wurde speziell für die Haltespannung entwickelt ; Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen in Plasma-Display-Panels. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche und eine niedrige E-Impulsbelastbarkeit zu erreichen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Wichtige Parameter optimiert für PDP-Haltezeit-, Energierückgewinnungs- und Passschalter-Anwendungen
Niedrige EPULSE-Nennleistung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP-Anwendungen für Haltespannung, Energierückgewinnung und Durchpassschalter
Niedrige QG für schnelles Ansprechen
Hohe Repetitive Peak Current Capability für zuverlässigen Betrieb
Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten
175 °C Betriebsanschlusstemperatur für verbesserte Robustheit
Wiederholte Lawinenfähigkeit für Robustheit und Zuverlässigkeit
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