Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin TO-251

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*

€ 16,05

(ohne MwSt.)

€ 19,275

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 825 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
75 - 75€ 0,214€ 16,05
150 - 300€ 0,161€ 12,08
375 - 675€ 0,15€ 11,25
750 - 1800€ 0,139€ 10,43
1875 +€ 0,129€ 9,68

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
217-2576
Herst. Teile-Nr.:
IPS60R3K4CEAKMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

9.82mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Verwandte Links