Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 41 A 56 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9696
Herst. Teile-Nr.:
TSM150NB04LCR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

56W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC, WEEE

Breite

5.2 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Keine Gießereien


Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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