Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 54 A 68 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9681
Herst. Teile-Nr.:
TSM110NB04CR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

54A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.2mm

Länge

6.2mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

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