Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 41 A 56 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9695
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM150NB04LCR
- Hersteller:
- Taiwan Semiconductor
Derzeit nicht erhältlich
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC, WEEE | |
| Länge | 6.2mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC, WEEE | ||
Länge 6.2mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Keine Gießereien
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft