Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 48 A 48 W, 8-Pin PDFN56

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*

€ 48,375

(ohne MwSt.)

€ 58,05

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Wird eingestellt
  • Letzte 4 950 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
25 - 25€ 1,935€ 48,38
50 - 75€ 1,898€ 47,45
100 - 225€ 1,742€ 43,55
250 - 975€ 1,709€ 42,73
1000 +€ 1,585€ 39,63

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
216-9683
Herst. Teile-Nr.:
TSM110NB04DCR
Hersteller:
Taiwan Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PDFN56

Serie

TSM025

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.2mm

Höhe

1.1mm

Breite

5.2 mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

Verwandte Links