Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
215-2548
Herst. Teile-Nr.:
IPP80N06S407AKSA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

80A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

56nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS ® -T2 Power-Transistor-Serie hat eine maximale 60-V-Drain-Quellspannung mit TO-220-Gehäusetyp. Es handelt sich um einen N-Kanal mit max. 7,1 mΩ maximalem Drain-Source-Widerstand.

N-Kanal - Anreicherungstyp

AEC Q101-zertifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS-konform)

100 % Lawinenprüfung

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