Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 120 A 278 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
214-9088
Herst. Teile-Nr.:
IPP120N08S403AKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

OptiMOS-T2

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

128nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Breite

4.57 mm

Höhe

9.45mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, einschließlich der CoolMOS-, OptiMOS- und Starken-IRFET-Familien. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert

Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C

100 % Lawinenprüfung

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