Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 102 W, 5-Pin VSON

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RS Best.-Nr.:
214-9079
Herst. Teile-Nr.:
IPL65R130C7AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

15A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolMOS C7

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

130mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

102W

Betriebstemperatur min.

-40°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.

Einfach zu verwenden/zu treiben durch Treiberquellen-Pin für bessere Leistung Steuerung des Tores

Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)

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