Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 122 W, 5-Pin VSON

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RS Best.-Nr.:
214-9069
Herst. Teile-Nr.:
IPL60R104C7AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

CoolMOS C7

Gehäusegröße

VSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

104mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

122W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8.1mm

Breite

8.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Es kommt mit Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte aufgrund kleinerer Gehäuse. Es enthält optimierte Leiterplattenmontage und Layoutlösungen.

Geeignet für hartes und weiches Schalten

SMD-Gehäuse mit sehr geringer parasitärer Induktivität für einfaches Gerät Steuerung

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