Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 32 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
215-2481
Herst. Teile-Nr.:
IPA65R125C7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS C7

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Cool MOS TM C7 Super Junction MOSFET-Serie von Infineon ist ein revolutionärer Schritt in der Technologie und bietet das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.

Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Niedrige Schaltverluste

Bessere Effizienz bei geringer Last

Erhöhung der Leistungsdichte

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