Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9044
Herst. Teile-Nr.:
IPD65R1K0CEAUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Zugelassen für Standardanwendungen

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