Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 9 A 47 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
214-9041
Herst. Teile-Nr.:
IPD50R650CEAUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

CoolMOS CE

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

47W

Durchlassspannung Vf

0.84V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.

Einfach zu verwenden/zu treiben

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Zugelassen für Standardanwendungen

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