Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 34 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
214-8979
Herst. Teile-Nr.:
BSC0996NSATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

34V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5.49mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.35 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

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