Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 340 A 380 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-8955
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFS3004TRL
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
€ 28,62
(ohne MwSt.)
€ 34,345
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 095 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 5,724 | € 28,62 |
| 10 - 20 | € 5,152 | € 25,76 |
| 25 - 45 | € 4,808 | € 24,04 |
| 50 - 120 | € 4,466 | € 22,33 |
| 125 + | € 4,12 | € 20,60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-8955
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFS3004TRL
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 340A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.75mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 380W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 340A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.75mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 380W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Infineon HEXFET Leistungs-MOSFETs verwenden die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Betriebswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind 175 °C Sperrschichtbetriebstemperatur, schnelle Schaltgeschwindigkeit und verbesserte sich wiederholende Lawineneinstufung . Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Kfz-zugelassen
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 340 A 380 W TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263