DiodesZetex DMT616 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 1.39 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0157
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT616MLSS-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- DMT616MLSS-13
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | DMT616 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.39W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie DMT616 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.39W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.4mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,39 W Wärmeverlustleistung.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Eingangskapazität
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