DiodesZetex DMT616 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 1.39 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
206-0157
Herst. Teile-Nr.:
DMT616MLSS-13
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMT616

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.39W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.4mm

Länge

5.9mm

Breite

4.85 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,39 W Wärmeverlustleistung.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Niedrige Eingangskapazität

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