DiodesZetex DMT616 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 1.39 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 367,50

(ohne MwSt.)

€ 440,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2 500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,147€ 367,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
206-0156
Herst. Teile-Nr.:
DMT616MLSS-13
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

DMT616

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.39W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.9mm

Höhe

1.4mm

Breite

4.85 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,39 W Wärmeverlustleistung.

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Niedrige Eingangskapazität

Verwandte Links