DiodesZetex DMT616 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 1.39 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 206-0156
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT616MLSS-13
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMT616MLSS-13
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- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT616 | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.39W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT616 | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.39W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 1,39 W Wärmeverlustleistung.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Eingangskapazität
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