DiodesZetex Doppelt DMT47 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30.2 A 14.8 W, 8-Pin PowerDI3333

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RS Best.-Nr.:
206-0143
Herst. Teile-Nr.:
DMT47M2LDV-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerDI3333

Serie

DMT47

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.015Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

14.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.72nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101

Höhe

0.85mm

Länge

3.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 40 V, 8-polig wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,34 W Wärmeverlustleistung.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) - minimiert Statusverluste

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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