DiodesZetex Doppelt DMT47 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30.2 A 14.8 W, 8-Pin PowerDI3333

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

€ 682,00

(ohne MwSt.)

€ 818,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 21. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2000 +€ 0,341€ 682,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
206-0142
Herst. Teile-Nr.:
DMT47M2LDV-7
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

DMT47

Gehäusegröße

PowerDI3333

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.015Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.72nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

14.8W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Höhe

0.85mm

Breite

3.4 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex 40 V, 8-polig wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,34 W Wärmeverlustleistung.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) - minimiert Statusverluste

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links