onsemi NTMFS006N08MC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 32 A 78 W, 8-Pin NTMFS006N08MC PQFN

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205-2425
Herst. Teile-Nr.:
NTMFS006N08MC
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

NTMFS006N08MC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Maximale Verlustleistung Pd

78W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.1 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der 150-V-N-Kanal-MV-MOSFET der on Semiconductor Power Trench Serie wird mit Advanced Process mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.

Max. RDS(on) = 11,5 MOhm bei VGS beträgt 10 V, ID 35 A.

Geringer Leitungsverlust

Max. RDS(on) ist 13,2 MOhm bei VGS ist 8 V, ID ist 18 A.

50 % geringerer Qrr als andere Mosfet-Lieferanten

Verringert Schaltgeräusche/elektromagnetische Störungen

MSL1 robustes Gehäusedesign

100 % UIL-geprüft

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