onsemi UltraFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24 A 78 W, 8-Pin PQFN-8
- RS Best.-Nr.:
- 864-4986
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS2572
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 3.222,00
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| 3000 + | € 1,074 | € 3.222,00 |
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- RS Best.-Nr.:
- 864-4986
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS2572
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PQFN-8 | |
| Serie | UltraFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 103mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 750μm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PQFN-8 | ||
Serie UltraFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 103mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 750μm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.
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MOSFET-Transistoren, ON Semi
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