onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 24 A 78 W, 8-Pin PQFN-8
- RS Best.-Nr.:
- 759-9140
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS2572
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 6,04
(ohne MwSt.)
€ 7,24
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Lieferengpass
- Zusätzlich 2 944 Einheit(en) mit Versand ab 26. Mai 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,02 | € 6,04 |
| 20 - 198 | € 2,605 | € 5,21 |
| 200 - 998 | € 2,255 | € 4,51 |
| 1000 - 1998 | € 1,98 | € 3,96 |
| 2000 + | € 1,80 | € 3,60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9140
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS2572
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | UltraFET | |
| Gehäusegröße | PQFN-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 103mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie UltraFET | ||
Gehäusegröße PQFN-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 103mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.
Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN-8
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin PQFN
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin MLP
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin SOIC