onsemi N-Kanal NTTF Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 60 A 26 W, 12-Pin WQFN
- RS Best.-Nr.:
- 202-5717
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFD4D0N04HLTWG
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | WQFN | |
| Serie | NTTF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.78V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | N-Kanal | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 3.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße WQFN | ||
Serie NTTF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.78V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration N-Kanal | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 3.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der symmetrische on Semiconductor Dual N-Kanal MOSFET umfasst zwei spezialisierte N-Kanal MOSFETs in einem Doppelgehäuse. Der Schaltknoten wurde intern angeschlossen, um eine einfache Platzierung und Verlegung von synchronen Abwärtswandlern zu ermöglichen. Er wird in Computing-, Kommunikations-, Allzweck-Point-of-Load-Anwendungen verwendet.
Gehäuse mit niedriger Induktivität
Geringere Schaltverluste
RoHS-konform
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