STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
€ 12,19
(ohne MwSt.)
€ 14,63
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 7 280 Einheit(en) mit Versand ab 01. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,219 | € 12,19 |
| 50 - 90 | € 1,158 | € 11,58 |
| 100 - 240 | € 1,041 | € 10,41 |
| 250 - 490 | € 0,936 | € 9,36 |
| 500 + | € 0,892 | € 8,92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8543
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Typischer RDS(on) = 0,017 Ω
Niedriger SCHWELLENANTRIEB
Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE
ANWENDUNGEN
DC-MOTOR-ANTRIEB
DC/DC-Wandler
Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG
Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay Typ N Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A, 8-Pin SO-8
- Vishay SQ4850CEY Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- onsemi UltraFET Typ N-Kanal 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- DiodesZetex ZXMS6008DN8 Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
- DiodesZetex DMT67M8LSS Typ N-Kanal 8-Pin SO-8
