STMicroelectronics N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 188-8296
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 1.412,50
(ohne MwSt.)
€ 1.695,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 5 000 Einheit(en) mit Versand ab 19. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 0,565 | € 1.412,50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-8296
- Herst. Teile-Nr.:
- STS7NF60L
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.
Typischer RDS(on) = 0,017 Ω
Niedriger SCHWELLENANTRIEB
Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE
ANWENDUNGEN
DC-MOTOR-ANTRIEB
DC/DC-Wandler
Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG
Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN