STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 7.5 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
188-8296
Herst. Teile-Nr.:
STS7NF60L
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Höhe

1.65mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung von STMicroelectronis einzigartigem "Single Feature Size"-streifenbasierten Prozess. Der resultierende Transistor weist eine extrem hohe Packungsdichte für geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand, robuste Lawineneigenschaften und weniger kritische Ausrichtungsschritte auf und ist daher eine bemerkenswerte Reproduzierbarkeit der Fertigung.

Typischer RDS(on) = 0,017 Ω

Niedriger SCHWELLENANTRIEB

Standardausgangsleitung FÜR EINFACHE AUTOMATISIERTE OBERFLÄCHENMONTAGE

ANWENDUNGEN

DC-MOTOR-ANTRIEB

DC/DC-Wandler

Batteriemanagement INOMADIC-AUSRÜSTUNG

Power-VERWALTUNGS-IPORTISCH/DESKTOP-PACKUNGEN

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