Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 188-5097
Herst. Teile-Nr.:: SIRA99DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 188-5097
Herst. Teile-Nr.:: SIRA99DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Datasheet SIRA99DP-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	195 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	2,6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	104 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +16 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	172,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Länge	5.99mm
Breite	5mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	1.07mm
Diodendurchschlagsspannung	1.1V

Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 195 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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