Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
787-9367
Herst. Teile-Nr.:
SIRA00DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

147nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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