Vishay SiSS92DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 12.3 A 65.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 1.608,00

(ohne MwSt.)

€ 1.929,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,536€ 1.608,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
188-4908
Herst. Teile-Nr.:
SiSS92DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

SiSS92DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.3 mm

Länge

3.3mm

Höhe

0.78mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal 250 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® mit ThunderFET-Technologie optimiert die Balance von RDS(on), Qg, QSW und Qoss

Marktführer RDS(on) und RDS-Coss FOM

Verwandte Links