Vishay SiHG21N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 32 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
188-4876
Herst. Teile-Nr.:
SIHG21N80AE-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

SiHG21N80AE

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

235mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

32W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

20.82mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

Leistungs-MOSFET der Serie E.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

ANWENDUNGEN

Server- und Telekommunikations-Netzteile

Schaltnetzteile (SNT)

Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

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