Vishay SiHG21N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17.4 A 32 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 188-4989
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-38-848
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG21N80AE-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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|---|---|---|
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- 304-38-848
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- SIHG21N80AE-GE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | SiHG21N80AE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 235mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.82mm | |
| Länge | 15.87mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie SiHG21N80AE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 235mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.82mm | ||
Länge 15.87mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie E.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
ANWENDUNGEN
Server- und Telekommunikations-Netzteile
Schaltnetzteile (SNT)
Netzteile für Leistungsfaktorkorrektur (PFC)