Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 60 V / 2.7 A 3.1 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 180-8362
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLL014TRPBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.2Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Länge | 6.3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.2Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.3 mm | ||
Länge 6.3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Vishay MOSFET
Der Vishay MOSFET ist ein N-Kanal SOT-223-3-Gehäuse und ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 200 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 5 V. Der MOSFET hat eine maximale Verlustleistung von 3,1 W. Er hat eine minimale und maximale Treiberspannung von 4 V bzw. 5 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.
Eigenschaften und Vorteile
• erhältlich in Band und Rolle
• Dynamische dV/dt-Bewertung
• Einfache Parallelschaltung
• Schnelles Schalten
• Halogen- und bleifreie Komponente (Pb)
• Logikebenen-Gate-Ansteuerung
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• RDS (ein) bei VGS ist 4 V und 5 V
Anwendungen
• Akkuladegeräte
• Umrichter
• Netzteile
• Schaltnetzteil (SMPS)
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