Vishay Einfach N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Oberfläche Leistungs-MOSFET 600 V / 2.2 A 3.1 W, 3-Pin

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RS Best.-Nr.:
180-8314
Herst. Teile-Nr.:
IRFBC20SPBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Montageart

Durchsteckmontage, Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.4Ω

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay IRFBC20S ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-to-Source(Vds)-Spannung von 600 V. Die Gate-Source-Spannung (VGS) beträgt 20 V. Es hat I2PAK (TO-262) und D2PAK (TO-263) Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 4,4 Ohm bei 10 VGS. Maximaler Drain-Strom 2,2 A.

Oberflächenmontage

Dynamische dV-/dt-Bewertung

150 °C Betriebstemperatur

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig lawinengeprüft

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