Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

RS Best.-Nr.:: 180-7886
Herst. Teile-Nr.:: SI7956DP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay Doppelt SI7956DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V Erweiterung / 4.1 A 3.5 W, 8-Pin PowerPack

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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Gehäusegröße	PowerPack
	Serie	SI7956DP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17nC
	Betriebstemperatur min.	-50°C
	Maximale Verlustleistung Pd	3.5W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.12mm
	Länge	6.25mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Gehäusegröße PowerPack
	Serie SI7956DP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC
	Betriebstemperatur min. -50°C
	Maximale Verlustleistung Pd 3.5W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.12mm
	Länge 6.25mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

MOSFET der Serie SI7956DP von Vishay, 150 V Drain-Quellenspannung, 4,1 A kontinuierlicher Drain-Strom – SI7956DP-T1-GE3

Dieser Dual-N-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Schaltgerät, das für Hochspannungs-Stromversorgungsanwendungen in industriellen und elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es bietet eine kontrollierte Leitung für Lastschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben, arbeitet über einen breiten Umgebungsbereich und ist für die Integration auf Board-Ebene vorgesehen, wo kompakte Dual-Transistor-Lösungen erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 150 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen • 4,1 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme • 0,1 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz • 17 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • 3,5 W Verlustleistung verwaltet thermische Belastung in kompakten Baugruppen

Anwendungen

• Geeignet für DC/DC-Wandlerstufen in Automatisierungsanlagen • Ideal für Motortreiber-Halbbrückenschaltungen in Schalttafeln • Wird für Schaltnetzteile in der Industrieelektronik verwendet • Kann für Stromverteilungsschalter auf kompakten Leiterplatten verwendet werden

Welche Gate- und Ableiterspannungen sind für einen sicheren Betrieb zulässig?

Das Gate kann bis zu 20 V betrieben werden und das Gerät hält Ablass-Quellenspannungen von bis zu 150 V stand.

Welche thermischen Extreme kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Dauerbetrieb von -50 °C bis zu einer maximalen Betriebstemperatur von 150 °C ausgelegt.

Wie viele Pins und welcher Gehäusetyp sollten für das Leiterplatten-Layout erwartet werden?

Die Komponente wird als 8-poliges PowerPack-Oberflächenmontagegerät geliefert, das für Standard-Erdungsmuster geeignet ist.

Wie wirkt sich die duale Konfiguration auf die Schaltungsimplementierung aus?

Zwei Transistoren werden in einem einzigen Gehäuse geliefert, was kompakte, gepaarte Schalteranordnungen und eine vereinfachte Leiterplattenführung ermöglicht.