Vishay Doppelt SI7997DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V Erweiterung / -60 A 29 W, 8-Pin PowerPack

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RS Best.-Nr.:
180-7325
Herst. Teile-Nr.:
SI7997DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Serie

SI7997DP

Gehäusegröße

PowerPack

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.12mm

Breite

5.26 mm

Länge

6.25mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 5.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 46W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switches

• Battery management

• Load switches

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