Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 180-7871
Herst. Teile-Nr.:: SIR882ADP-T1-GE3
Hersteller:: Vishay

Vishay Einfach Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V / 60 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0087Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19.5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	83W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.25mm
	Breite	5.26 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0087Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 83W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.25mm
	Breite 5.26 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der SMD-N-Kanal PowerPAK-SO-8 MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 8,7 mohms bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 83 W und einen Dauerstrom von 60 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 4,5 V bzw. 10 V. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifreie Komponente (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET für schnelles Schalten

Anwendungen

• DC/DC-Primärseiten-Schalter

• Industriestandorte

• Telekommunikation/Server 48 V, Voll-/Halbbrücken-DC/DC

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-geprüft

• UIS-geprüft