Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,15 A 1,25 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 787-9229
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2328DS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 787-9229
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2328DS-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,15 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,4 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 1,25 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,45 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,15 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,4 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 1,25 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,45 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Höhe 1.02mm | ||