Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65.7 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 252-0271
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR1309DP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.01mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.01mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.
TrenchFET Gen IV p-Kanal Leistungs-MOSFET
100 % Rg getestet