Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65.7 A 83 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
252-0271
Herst. Teile-Nr.:
SIR1309DP-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.01mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

54nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

5.15 mm

Länge

6.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. Das Substrat des P-Kanal-MOSFETS enthält Elektronen und Elektronenlöcher. P-Kanal-MOSFETs sind mit einer positiven Spannung verbunden. Diese MOSFETs schalten sich ein, wenn die am Gate-Anschluss anliegende Spannung niedriger ist als die Ausgangsspannung.

TrenchFET Gen IV p-Kanal Leistungs-MOSFET

100 % Rg getestet

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