Vishay Einfach TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 18 A 39.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
180-7356
Herst. Teile-Nr.:
SIS407ADN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Maximale Verlustleistung Pd

39.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Länge

3.61mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.79mm

Breite

3.61 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-1212-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 20V and maximum gate-source voltage of 8V. It has a drain-source resistance of 9mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 39.1W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• Low thermal resistance PowerPAK package

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switches

• Battery management

• Load switches

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