onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 68 A 57.5 W, 8-Pin DFN

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onsemi Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 60 V Erweiterung / 68 A 57.5 W, 8-Pin DFN
RS Best.-Nr.
178-4301

1 Stück (auf Rolle zu 1500)

€ 1,122

(ohne MwSt.)

€ 1,346

(inkl. MwSt.)

RS Best.-Nr.:
178-4503
Herst. Teile-Nr.:
NVMFD5C668NLT1G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

68A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.8nC

Betriebstemperatur min.

175°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

57.5W

Durchlassspannung Vf

0.85V

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Länge

5.1mm

Breite

6.1 mm

Höhe

1.05mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
MY
Kleine Abmessungen (5 x 6 mm) für kompakte Bauweise

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

NVMFD5C668NLWF – Option mit benetzbaren Flanken für verbesserte optische Inspektion

PPAP-fähig

Diese Geräte sind bleifrei

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