onsemi FDD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 160 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
178-4442
Herst. Teile-Nr.:
FDD86250-F085
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

FDD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Durchlassspannung Vf

1.25V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
PH
N-Kanal Geschirmter Gate MOSFET PowerTrench® 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typischer RDS(on) = 19,4 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 20 A

Typische Qg(Tot) = 28 nC bei VGS = 10 V, ID = 40 A

UIS-Funktionen

Anwendungen:

Automobil-Motorsteuergeräte

Antriebsstrang-Management

Magnet- und Motortreiber

Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM

Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme

Endprodukte:

Integrierter Anlasser/Lichtmaschine

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