onsemi FDD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 160 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

€ 1.970,00

(ohne MwSt.)

€ 2.365,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +€ 0,788€ 1.970,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
178-4231
Herst. Teile-Nr.:
FDD86250-F085
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

FDD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

28nC

Maximale Verlustleistung Pd

160W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.25V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
PH
N-Kanal Geschirmter Gate MOSFET PowerTrench® 150 V, 50 A, 22 mΩ

Typischer RDS(on) = 19,4 mΩ bei VGS = 10 V, ID = 20 A

Typische Qg(Tot) = 28 nC bei VGS = 10 V, ID = 40 A

UIS-Funktionen

Anwendungen:

Automobil-Motorsteuergeräte

Antriebsstrang-Management

Magnet- und Motortreiber

Verteilte Stromversorgungsarchitekturen und VRM

Hauptschalter-Netzteile für 12-V-Systeme

Endprodukte:

Integrierter Anlasser/Lichtmaschine

Verwandte Links