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    Microchip TP2540 TP2540N8-G P-Kanal, SMD MOSFET 400 V / 125 mA 1,6 W, 3-Pin TO-243AA

    RS Best.-Nr.:
    177-9867
    Herst. Teile-Nr.:
    TP2540N8-G
    Hersteller:
    Microchip
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    TP2540N8-G
    Hersteller:
    Microchip
    Ursprungsland:
    TW

    Datenblätter und Anleitungen


    Rechtliche Anforderungen

    Ursprungsland:
    TW

    Informationen zur Produktgruppe

    Dieser (normally off) Transistor mit niedrigem Schwellenwert als Anreicherungstyp verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.

    Niedriger Schwellenwert (max. -2,4V)
    Hohe Eingangsimpedanz
    Niedrige Eingangskapazität (60 pF typisch)
    Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
    Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
    Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
    Niedriger Eingangs- und Leckstrom


    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypP
    Dauer-Drainstrom max.125 mA
    Drain-Source-Spannung max.400 V
    GehäusegrößeTO-243AA
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.30 Ω
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2.4V
    Gate-Schwellenspannung min.1V
    Verlustleistung max.1,6 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Länge4.6mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Breite2.6mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C
    Höhe1.6mm
    Diodendurchschlagsspannung1.8V
    SerieTP2540
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